ترانزیستور یک قطعه الکترونیکی فعال است که از ترکیب سه قطعه n و p بدست میآید و دارای سه پایه به نامهای بیس ، امیتر و کلکتور میباشد. این قطعه الکترونیکی میتواند با کنترل جریان ، مدار را تقویت کند و همچنین برای سوئیچ کردن مدار الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد. |
دید کلی
ترانزیستور یک قطعه الکترونیکی فعال بوده و از ترکیب سه قطعه n و p بدست میآید که از ترزیق حاملین بار اقلیت در یک پیوند با
گرایش مستقیم استفاده میکند و دارای سه پایه به نامهای
بیس (B) ،
امیتر (E) و
کلکتور (C) میباشد و چون در این قطعه اثر
الکترونها و
حفرهها هر دو مهم است، به آن یک
ترانزیستور دوقطبی گفته میشود.
تاریخچه
عصر نوین الکترونیک
نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در 1948 توسط
باردین ،
براتاین و
شاکلی در آزمایشگاههای
تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تاثیر شگفتی روی تقریبا تمام حوزههای زندگی نوین گذاشته است.
انواع ترانزیستور پیوندی
شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفرهها با جهت جریان یکی است.
شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایدههای اساسی برای قطعه pnp میتوان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.
ساختمان ترانزیستور پیوندی
ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو
دیود است. دیود سمت چپ را
دیود بیس _ امیتر یا صرفا
دیود امیتر و دیود سمت راست را
دیود کلکتور _ بیس یا
دیود کلکتور مینامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه میگردد.
امیتر که شدیدا آلائیده شده، نقش گسیل و یا
تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور میدهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمعآوری میکند.
طرز کار ترانزیستور پیوندی
طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار میدهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفرهها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض میشود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم میآورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به
حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت
بایاس معکوس عریضتر میشود.
الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری میشوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده ، به ناحیه کلکتور میرسند و تعدادی از آنها با حفرههای بیس بازترکیب شده و به عنوان
الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه میشوند، این مولفه بسیار کوچک است.
نحوه اتصال ترازیستورها
در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخهها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفرهها میشود.
مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای
امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا میباشد.
اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار میرود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و
زمین به نام
مقاومت بار بسته میشود.
کاربرد ترانزیستور
ترانزیستورها میتوانند با کنترل جریان مدار را تقویت کنند و این مورد بطور گستردهای در مدارهای ترانزیستوری بکار میرود. همچنین عمل مهم دیگر ترانزیستورها در مدارهای الکترونیکی قابلیت کنترل حالت خاموش و روشن قطعه است. این نوع سوئیچ کردن بویژه در
مدارات دیجیتالی مفید است.
مباحث مرتبط با عنوان