سریع ترین ترانزیستور جهان توسط دکتر فرشید رئیسی عضو هیات علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی طراحی و ساخته شد.
به گزارش روابط عمومی دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، در طراحی این ترانزیستور به جای الکترون از سالیتان (بسته های امواج الکترومغناطیسی) که با سرعت نور حرکت می کند، استفاده شده است.
دکتر رئیسی درباره مزیت این طرح گفت: ترانزیستور سالیتانی می تواند صدها برابر سریع تر از ترانزیستورهای معمولی که از جنس نیمه هادی هستند عمل کند.
وی در ادامه خاطرنشان کرد: در صورت تجهیز آزمایشگاه قطعات نیمه هادی در کشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می توان سرعت فرکانسی آن را به حدود 200 تا 300گیگاهرتز رساند تا در مواردی نظیر ابر رایانه ها و فعالیت های دفاعی که سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به کار رود.
دکتر رئیسی در پایان افزود: ترانزیستور سالیتانی علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع ترین ترانزیستورهای موجود در بازار، از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با کاربری در CPU ها بسیار ارزانتر است.
گفتنی است مقاله مربوط به طرح ابتکاری دکتر فرشید رئیسی بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه های علمی فیزیک جهان داشته است.
شما باید یک عنوان و متن وارد کنید!