برخی مواد چندلایه در اثر قرارگیری در میدان مغناطیسی، دچار دگرگونی‌های شدید و نامعمولی در مقاومت الکتریکی خود می‌شوند. این پدیده که با نام «ابر مقاومت مغناطیسی» شناخته می‌شود گرچه به صورت یک پژوهش بنیادی در سال‌های دهه‌ی 1980 آغاز شد، اما کشف آن انقلابی در فن‌آوریِ ساختِ درایوهای سخت برای ذخیره‌سازی داده‌ها پدید آورد.
برای ساختِ این مواد چندلایه، لایه‌های نازکی از جنسِ موادِ فرومغناطیس و نانومغناطیس را به صورت یک‌درمیان بر روی یک‌دیگر می‌چینند. دگرگونی‌های شدیدی که در میزان مقاومت الکتریکی این مواد رخ می‌دهد ریشه در این واقعیت دارد که پراکندگی الکترون‌هایی که در طول یا عرض این لایه‌های نازک شارش می‌یابند، وابسته به اسپین آن‌هاست.
دگرگونی‌هایی که به دلیل پدیده‌ی ابر مقاومت مغناطیسی در مقاومت این مواد رخ می‌دهد به جزییات شرایط قرارگیری آن‌ها بستگی دارد. اما در دمای اتاق، مقاومت الکتریکی نزدیک به 40 درصد کاهش می‌یابد.
امتیاز: 0.00
وزارت آموزش و پرورش > سازمان پژوهش و برنامه‌ريزی آموزشی
شبکه ملی مدارس ایران رشد
ارسال ها: 2228
شما باید یک عنوان و متن وارد کنید!