مغناطو مقاومت عظیم (GMR)، تغییر ناگهانی در مقاومت الکتریکی است . شناخت و استفاده از اثرهای مغناطو مقاومت عظيم امكانات بسيار زيادي را در فناوري‌هاي جديد از جمله، دستگاه‌هاي ذخيره‌سازي داده‌ها با چگالي داده‌هاي بسیار زیاد و همچنین نياز به توان كم‌تر دراختيار ما مي‌گذارد.
ماده ای را در نظر بگیرید که به طور پی در پی از یک لایه ی فرومغناطیس و یک لایه ی فلزی غیر مغناطیسی ساخته شده است. هرگاه این ماده در معرض یک میدان مغناطیسی به حد کافی بزرگ قرار بگیرد اثر GMR یا مغناطو مقاومت عظیم در آن رخ می دهد .اگر در لایه های مجاور این ماده ، بردارهای مغناطش موازی باشند مقاومت بسیار کوچک می شود و اگر پادموازی باشند مقاومت بسیار بزرگ خواهد شد.این تغییر در مقاومت ناشی از `اسپن بالا` و `اسپین پایین` الکترون ها یی است که به طور متفاوت در لایه های منفرد پراکنده می شوند.
در سال ۱۹۸۸ آلبرت فرت از فرانسه و پیتر گرونبرگ از آلمان ، مستقل از یکدیگر، موفق به کشف تاثیرات GMR شدند. این کشف به طور مشخص منجر به ساخت و تکمیل قطعاتی بسیار کوچک و حساسی شد که به کمک آنها می توان اطلاعات را از روی دیسک های سخت رایانه ها خواند. این کشف همچنین سبب مینیاتوری شدن مدارهای الکترونیکی و در نتیجه کوچک تر شدن دستگاه های رایانه ای و تکامل دستگاه های صوتی و تصویری نظیر، MP3 و DVD گردید.
امتیاز: 0.00
وزارت آموزش و پرورش > سازمان پژوهش و برنامه‌ريزی آموزشی
شبکه ملی مدارس ایران رشد
ارسال ها: 2228
شما باید یک عنوان و متن وارد کنید!