تاریخچه ی:
نیم رسانای مستقیم و غیر مستقیم
تفاوت با نگارش: 1
| !دیدکلی | | !دیدکلی |
- | در یک ((اجسام نیم رسانا)) تراز ظرفیت پر ولی تراز هدایت خالی است و ((گاف انرژی)) (EG) که دو تراز را از یکدیگر جدا میکند نسبت به ((مواد عایق|عایقها)) کوچکتر است. حال اگر انرژی EG تامین شود و ((الکترون|الکترونی)) از تراز ظرفیت به باند هدایت برانگیخته شود، باند هدایت خالی نخواهد بود. موقعی که این الکترون گذاری به باند ظرفیت انجام میدهد، با دو فرآیند مستقیم و غیر مستقیم روبرو میشود. پس دو نوع طبقهبندی در نوارهای انرژی نیم رسانا وجود دارد. |
+ | در یک ((اجسام نیم رسانا)) تراز ظرفیت پر ولی تراز هدایت خالی است و گاف انرژی (EG) که دو تراز را از یکدیگر جدا میکند نسبت به ((مواد عایق|عایقها)) کوچکتر است. حال اگر انرژی EG تامین شود و ((الکترون|الکترونی)) از تراز ظرفیت به باند هدایت برانگیخته شود، باند هدایت خالی نخواهد بود. موقعی که این الکترون گذاری به باند ظرفیت انجام میدهد، با دو فرآیند مستقیم و غیر مستقیم روبرو میشود، پس دو نوع طبقهبندی در نوارهای انرژی نیم رسانا وجود دارد.
{picture=semiconductor1.JPG}
|
|
| !نیم رسانای مستقیم | | !نیم رسانای مستقیم |
- | ساختار ترازهای انرژی دارای یک تراز کمینه در باند هدایت و یک تراز بیشینه در باند ظرفیت است. در برخی از نیم رساناها مثل {TEX()} {GaAs} {TEX} (((گالیم آرسنیک))) دو کمینه و بیشینه به ازای یک عدد موج (K) داریم. یعنی وقتی که الکترون از باند هدایت به باند ظرفیت منتقل میشود، ضمن گسیل انرژی {TEX()} {EG=HV} {TEX} ، ((اندازه حرکت خطی|اندازه حرکت)) دچار تغییر نمیشود. چون K تغییر نکرده است. |
+ | ساختار ترازهای انرژی دارای یک تراز کمینه در باند هدایت و یک تراز بیشینه در باند ظرفیت است. در برخی از نیم رساناها مثل {TEX()} {GaAs} {TEX} (((گالیم آرسنیک))) دو کمینه و بیشینه به ازای یک عدد موج (K) داریم. یعنی وقتی که الکترون از باند هدایت به باند ظرفیت منتقل میشود، ضمن گسیل انرژی @#18:~~green:EG = HV~~#@ ، ((اندازه حرکت خطی|اندازه حرکت)) دچار تغییر نمیشود. چون K تغییر نکرده است. |
| !نیم رسانای غیر مستقیم | | !نیم رسانای غیر مستقیم |
- | در نیم رسانای غیر مستقیم ، الکترون از باند هدایت به باند ظرفیت منتقل میشود، منتها ضمن انتقال دچار تغییر در اندازه حرکت میشود. چون K تغییر میکند و ((انرژی)) بجای ((انتشار فوتون)) عموما بصورت ((گرما)) به شبکه داده میشود. در این نیم رسانای مینیمم باند هدایت در مقابل ماکزیمم باند ظرفیت قرار نگرفته است. از جمله نیم رسانای غیر مستقیم میتوان به {TEX()} {Si} {TEX} (((سیلسیوم))) است. |
+ | در نیم رسانای غیر مستقیم ، الکترون از باند هدایت به باند ظرفیت منتقل میشود، منتها ضمن انتقال دچار تغییر در اندازه حرکت میشود. چون K تغییر میکند و ((انرژی)) بجای انتشار فوتون عموما بصورت گرما به شبکه داده میشود. در این نیم رسانای مینیمم باند هدایت در مقابل ماکزیمم باند ظرفیت قرار نگرفته است. از جمله نیم رسانای غیر مستقیم میتوان به {TEX()} {Si} {TEX} (سیلسیوم) است. |
| !کاربردها | | !کاربردها |
- | اختلاف بین ((نظریه نواری رسانش|ساختارهای نواری مستقیم و غیر مستقیم)) برای تشخیص نیم رسانای مناسب برای قطعات با خروجی نوری بسیار اهمیت دارد. مثلا گسیلندهای نوری نیم رسانا عموما باید از مواد با قابلیت انتقال مستقیم ، تراز به تراز از مواد غیر مستقیم با قابلیت انتقال عمودی بین ترازهای نقصی ساخته شوند. |
+ | اختلاف بین ((نظریه نواری رسانش|ساختارهای نواری مستقیم و غیر مستقیم)) برای تشخیص نیم رسانای مناسب برای قطعات با خروجی نوری بسیار اهمیت دارد. مثلا گسیلندههای نوری نیم رسانا عموما باید از مواد با قابلیت انتقال مستقیم ، تراز به تراز از مواد غیر مستقیم با قابلیت انتقال عمودی بین ترازهای نقصی ساخته شوند. |
| !مباحث مرتبط با عنوان | | !مباحث مرتبط با عنوان |
| *((انتشار فوتون)) | | *((انتشار فوتون)) |
| *((اجسام نیم رسانا)) | | *((اجسام نیم رسانا)) |
| *((تراز انرژی)) | | *((تراز انرژی)) |
| *((تراز ظرفیت)) | | *((تراز ظرفیت)) |
| *((الکترون)) | | *((الکترون)) |
| *((گاف انرژی)) | | *((گاف انرژی)) |
| *((مواد عایق)) | | *((مواد عایق)) |
| *((نظریه نواری رسانش)) | | *((نظریه نواری رسانش)) |