منو
 کاربر Online
443 کاربر online
تاریخچه ی: نیم رسانای ذاتی

||یک ((اجسام نیم رسانا|بلور نیم رسانای کامل)) و فاقد هرگونه ((ناخالصی شبکه بلوری|ناخالصی یا نقایص بلوری)) به نام نیم‌ سانای ذاتی شناخته می‌شود. در چنین ماده‌ای هیچگونه باربری در صفر درجه کلوین وجود ندارد، زیرا ((تراز ظرفیت)) از ((الکترون|الکترونها)) پر شده و تراز هدایت خالی است. در دمای بالاتر با برانگیزش گرمایی الکترون‌های تراز ظرفیت به تراز هدایت از طریق ((گاف انرژی)) ، ((حاملین بار|زوج‌های الکترون حفره)) تولید می‌شود. این زوجها تنها باربرهای موجود در نیم‌رسانای ذاتی هستند.||
!مشخصات نیم رسانای ذاتی
*برای نیم رسانای ذاتی بدلیل تولید زوج الکترون و حفره ، تراکم الکترون در ((تراز رسانش|تراز هدایت)) n (تعداد الکترونها در هر سانتیمتر مکعب) با تراکم حفره‌ها در تراز ظرفیت p (تعداد حفره‌ها در هر سانتیمتر مکعب) برابر است. هر یک از این تراکم باربرهای ذاتی را معمولا با {TEX()} {n_i} {TEX} نمایش می‌دهند. بنابراین برای نیم‌رسانای ذاتی {TEX()} {n=p=n_i} {TEX} است.


*در یک دمای معین ، تراکم مشخص از زوجهای الکترون - حفره {TEX()} {(n_i)} {TEX} وجود دارد. بدیهی است که در صورت پایدار ماندن تراکم باربرها ، باید باز ترکیبی از زوجهای الکترون و حفره ، که به اختصار با EHP نمایش می‌شوند، با همان سرعت تولیدشان وجود داشته باشد. باز ترکیب موقعی رخ می‌دهد که یک ((الکترون)) در تراز هدایت به حالتی خالی در تراز ظرفیت رفته و بنابراین زوج الکترون - حفره را از بین ببرد. اگر سرعت EHP را با {TEX()} {g_i} {TEX} و سرعت باز ترکیب را با {TEX()} {r_i} {TEX} نشان دهیم، در حالت تعادل {TEX()} {r_i=g_i} {TEX} می‌باشد.


*سرعت تولید EHP و سرعت باز ترکیب آنها به ((دما)) وابسته است. برای مثال {TEX()} {g_i} {TEX} با زیاد شدن دما افزایش می‌یابد و تراکم {TEX()} {n_i} {TEX} جدیدی از باربرها طوری برقرار می‌شود که سرعت بیشتر باز ترکیب {TEX()} {r_i} {TEX} دقیقا با سرعت تولید به تعادل برسد. در هر دمایی می‌توان پیش‌بینی نمود که سرعت باز ترکیب {TEX()} {r_i} {TEX} الکترون‌ها و حفره‌ها متناسب با تراکم {TEX()} {n_0} {TEX} و الکترون و تراکم {TEX()} {p_0} {TEX} حفره‌ها در حالت تعادل است.
!تولید EHP
تولید EHP را می‌توان به روش کیفی و با در نظر گرفتن گسیختگی ((پیوند کووالانسی|پیوندهای کووالانسی)) در ((شبکه بلور)) تجسم نمود. اگر یکی از الکترونهای ظرفیت {TEX()} {Si} {TEX} از محل خود در ساختمان پیوند کنده شده و بتواند آزادانه در شبکه حرکت کند، یک الکترون هدایت بوجود آمده و یک پیوند شکسته شده (حفره) باقی می‌ماند. انرژی لازم برای شکستن پیوند برابر با اندازه ((گاف انرژی)) است.
!مباحث مرتبط با عنوان
*((الکترون))
*((اجسام نیم رسانا))
*((حاملین بار))
*((تراز انرژی))
*((شبکه بلور))
*((گاف انرژی))
*((ناخالصی شبکه بلوری))
*((نیم رسانای غیر ذاتی))
*((نیم رسانای مستقیم و غیر مستقیم))

تاریخ شماره نسخه کاربر توضیح اقدام
 چهارشنبه 24 اسفند 1384 [09:34 ]   2   مجید آقاپور      جاری 
 شنبه 03 بهمن 1383 [15:01 ]   1   حسین خادم      v  c  d  s 


ارسال توضیح جدید
الزامی
big grin confused جالب cry eek evil فریاد اخم خبر lol عصبانی mr green خنثی سوال razz redface rolleyes غمگین smile surprised twisted چشمک arrow



از پیوند [http://www.foo.com] یا [http://www.foo.com|شرح] برای پیوندها.
برچسب های HTML در داخل توضیحات مجاز نیستند و تمام نوشته ها ی بین علامت های > و < حذف خواهند شد..