منو
 کاربر Online
807 کاربر online
تاریخچه ی: فیزیک الکترونیک

تفاوت با نگارش: 2

Lines: 1-357Lines: 1-356
 __فیزیک الکترونیک (Electronic Physics )__ __فیزیک الکترونیک (Electronic Physics )__
 
 __فهرست مقالات فیزیک الکترونیک____فهرست مقالات فیزیک الکترونیک__
 
 
 
 
 
 
 
 
 __مباحث علمی__ __مباحث علمی__
 __مباحث کاربردی و تجربی__
 __مباحث کاربردی و تجربی__
 
 
 
 
 ((الکترونیک)) ((الکترونیک))
 ((اسیلوسکوپ)) ((اسیلوسکوپ))
 
 
 
 
 ((گرافیک)) ((گرافیک))
 ((یکسوکننده جریان)) ((یکسوکننده جریان))
 
 
 
 
 ((حاملین بارالکتریکی)) ((حاملین بارالکتریکی))
 ((نحوه کار اسیلوسکوپ)) ((نحوه کار اسیلوسکوپ))
 
 
 
 
 ((قوانین کیرشهف)) ((قوانین کیرشهف))
 ((علائم مشخصه دیود)) ((علائم مشخصه دیود))
 
 
 
 
 ((دیود)) ((دیود))
 ((گرماسنج دیودی)) ((گرماسنج دیودی))
 
 
 
 
 ((مدار الکتریکی)) ((مدار الکتریکی))
 ((ولت متر دیجیتال)) ((ولت متر دیجیتال))
 
 
 
 
 ((مدار مجتمع)) ((مدار مجتمع))
 ((هشداردهنده باران)) ((هشداردهنده باران))
 
 
 
 
 ((مدار الکترونیکی)) ((مدار الکترونیکی))
 ((دزدگیر اتومبیل)) ((دزدگیر اتومبیل))
 
 
 
 
 ((خازن)) ((خازن))
 ((شارژ باتری)) ((شارژ باتری))
 
 
 
 
 ((مقاومت الکتریکی)) ((مقاومت الکتریکی))
 ((فلزیاب)) ((فلزیاب))
 
 
 
 
 ((دیود نوری)) ((دیود نوری))
 ((اهم متر جریان)) ((اهم متر جریان))
 
 
 
 
 ((مدولاسیون دامنه)) ((مدولاسیون دامنه))
 ((سمعک ناشنوایان)) ((سمعک ناشنوایان))
 
 
 
 
 ((نیم رسانای اکسیدفلز)) ((نیم رسانای اکسیدفلز))
 ((نورسنج)) ((نورسنج))
 
 
 
 
 ((سیگنال)) ((سیگنال))
 ((فلاشزن)) ((فلاشزن))
 
 
 
 
 ((دیود تونلی)) ((دیود تونلی))
 ((رادیو)) ((رادیو))
 
 
 
 
 ((اسیلاتور)) ((اسیلاتور))
 ((کنترل الکترونیکی)) ((کنترل الکترونیکی))
 
 
 
 
-((دیود نیمرسانا)) +((دیود نیمرسانا))
 ((بالانس هدفون)) ((بالانس هدفون))
 
 
 
 
 ((دیود ایده‌آل)) ((دیود ایده‌آل))
 ((ضبط صوت)) ((ضبط صوت))
 
 
 
 
 ((مواد نیم رسانای نوع n و نوع p)) ((مواد نیم رسانای نوع n و نوع p))
 ((نوار مغناطیسی)) ((نوار مغناطیسی))
 
 
 
 
 ((دیود زنر)) ((دیود زنر))
 ((تلویزیون)) ((تلویزیون))
 
 
 
 
 ((یکسوکننده جریان)) ((یکسوکننده جریان))
 ((آمپلی فایر)) ((آمپلی فایر))
 
 
 
 
 ((یکسوکننده نیم موج)) ((یکسوکننده نیم موج))
 ((نوسان ساز)) ((نوسان ساز))
 
 
 
 
-((یکسوکننده تمام موج)) +((یکسو کننده تمام موج))
 ((ماشین حساب)) ((ماشین حساب))
 
 
 
 
 ((برشگر الکترونیکی)) ((برشگر الکترونیکی))
 ((میکروفون بی‌سیم)) ((میکروفون بی‌سیم))
 
 
 
 
 ((جابجاگر الکترونیکی)) ((جابجاگر الکترونیکی))
-((اندازه‌گیری اختلاف فاز)) +((اندازه ‌گیری اختلاف فاز))
 
 
 
 
 ((ساختمان ترانزیستور)) ((ساختمان ترانزیستور))
 ((دوربین تلویزیون)) ((دوربین تلویزیون))
 
 
 
 
 ((علائم و کد رنگی مقاومت)) ((علائم و کد رنگی مقاومت))
 ((مدولاسیون دامنه)) ((مدولاسیون دامنه))
 
 
 
 
 ((مدار متمم ولتاژ)) ((مدار متمم ولتاژ))
 ((آنتن )) ((آنتن ))
 
 
 
 
 ((چشم انداز فناوری نانو تکنولوژی|فناوری نانو تکنولوژی)) ((چشم انداز فناوری نانو تکنولوژی|فناوری نانو تکنولوژی))
 ((رادار)) ((رادار))
 
 
 
 
 ((عمل تقویت ترانزیستور)) ((عمل تقویت ترانزیستور))
 ((آداپتور)) ((آداپتور))
 
 
 
 
-((برگهاطلاعات ترانزیستور)) +((برگه اطلاعات ترانزیستور))
 ((فرستننده)) ((فرستننده))
 
 
 
 
 ((بایاس ترانزیستور)) ((بایاس ترانزیستور))
 ((گیرنده)) ((گیرنده))
 
 
 
 
 ((فیدبک مدار)) ((فیدبک مدار))
 ((ماهواره)) ((ماهواره))
 
 
 
 
 ((مدار سوپیج ترانزیستور)) ((مدار سوپیج ترانزیستور))
 ((گیرنده لیزری)) ((گیرنده لیزری))
 
 
 
 
 ((ترانزیستورpnp)) ((ترانزیستورpnp))
 ((تقویت کننده ترموکوپل)) ((تقویت کننده ترموکوپل))
 
 
 
 
 ((ترانزیستورnpn)) ((ترانزیستورnpn))
 ((حفاظ برقی)) ((حفاظ برقی))
 
 
 
 
 ((حامل بار)) ((حامل بار))
 ((فتوسل)) ((فتوسل))
 
 
 
 
 ((مدار امیتر مشترک)) ((مدار امیتر مشترک))
 ((ساعت نوری)) ((ساعت نوری))
 
 
 
 
 ((مدار کلکتور مشترک)) ((مدار کلکتور مشترک))
 ((رمز نگاری با لیزر)) ((رمز نگاری با لیزر))
 
 
 
 
 ((مدار بیس مشترک)) ((مدار بیس مشترک))
 ((لامپ هادی امواج)) ((لامپ هادی امواج))
 
 
 
 
 ((هدایت لایهای جریان)) ((هدایت لایهای جریان))
 ((اندازهگیری بهره ولتاژ)) ((اندازهگیری بهره ولتاژ))
 
 
 
 
 ((منحنی لیساژو)) ((منحنی لیساژو))
 ((جریان نشت خازن)) ((جریان نشت خازن))
 
 
 
 
 ((مشخصه دیود معمولی)) ((مشخصه دیود معمولی))
 ((ساخت منبع ولتاژ)) ((ساخت منبع ولتاژ))
 
 
 
 
 ((اجسام نیم رسانا)) ((اجسام نیم رسانا))
 ((رده‌بندی کلاسی تقویتکننده‌ها|رده‌بندی تقویتکننده‌ها)) ((رده‌بندی کلاسی تقویتکننده‌ها|رده‌بندی تقویتکننده‌ها))
 
 
 
 
 ((مشخصه دیود زنر)) ((مشخصه دیود زنر))
 ((تقویت کننده امیتر مشترک|تقویت کننده امیتر)) ((تقویت کننده امیتر مشترک|تقویت کننده امیتر))
 
 
 
 
 ((عناصر غیر فعال الکترونیکی)) ((عناصر غیر فعال الکترونیکی))
 ((مدار تقویت کننده ولتاژ)) ((مدار تقویت کننده ولتاژ))
 
 
 
 
 ((اصل برهمنهی جریان)) ((اصل برهمنهی جریان))
 ((دستگاه مغز نگار)) ((دستگاه مغز نگار))
 
 
 
 
 ((قضییه تونن)) ((قضییه تونن))
 ((تقویت کننده بیس مشترک|تقویت کننده بیس مشترک)) ((تقویت کننده بیس مشترک|تقویت کننده بیس مشترک))
 
 
 
 
 ((اتصال کوتاه)) ((اتصال کوتاه))
 ((تقویت کننده کلکتور مشترک|تقویت کننده کلکتور)) ((تقویت کننده کلکتور مشترک|تقویت کننده کلکتور))
 
 
 
 
 ((منبع جریان الکتریکی)) ((منبع جریان الکتریکی))
 ((برسی فیدبک و آثار آن)) ((برسی فیدبک و آثار آن))
 
 
 
 
 ((منبع ولتاژ)) ((منبع ولتاژ))
 ((نوسانگر با مدار تشدید)) ((نوسانگر با مدار تشدید))
 
 
 
 
 ((قضیه نورتن)) ((قضیه نورتن))
 ((تعیین فرکانس جریان)) ((تعیین فرکانس جریان))
 
 
 
 
 ((دسی بل)) ((دسی بل))
 ((صافی الکتریکی)) ((صافی الکتریکی))
 
 
 
 
 ((اصل دوگانگی)) ((اصل دوگانگی))
 ((تقویت کننده دو طبقه امیتر مشترک|تقویت کننده دو طبقه امیتر)) ((تقویت کننده دو طبقه امیتر مشترک|تقویت کننده دو طبقه امیتر))
 
 
 
 
 ((مقاومت ظاهری)) ((مقاومت ظاهری))
 ((تقویت کننده یک طبقه امیتر مشترک|تقویت کننده یک طبقه امیتر)) ((تقویت کننده یک طبقه امیتر مشترک|تقویت کننده یک طبقه امیتر))
 
 
 
 
 ((رسانش در نیم رسانا)) ((رسانش در نیم رسانا))
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
  
  
 
 
 
 
 
 
 
 
 !نگاه اجمالی !نگاه اجمالی
-شاید برای افرادی که آشنایی کمتری با فیزیک دارند ، تعجب آور باشد که در مباحث فیزیک ، از واژه الکترونیک یاد شود. اما اگر مباحث مطرح در فیزیک را از نظر بگذرانیم ملاحظه می کنیم فیزیک و الکترونیک دو واژه ای هستند که با هم مانوس بوده و تقریبا وابسته به یکدیگرند. بعنوان مثال ترانزیستور یک وسیله الکترونیکی است که نحوه اتصال آن در مدار در الکترونیک مورد بررسی قرار می گیرد. اما ساختار ترانزیستور ، مشخصه های ترانزیستور و اطلاعات دیگر که مربوط به ساختمان ترانزیستور است در فیزیک بحث می شود.
!مفاهیم پایه فیزیک الکترونیک
*__اجزای ساختمان ماده:__
برای توضیح پدیده های الکترونیکی ، فیزیکدانها فرضیه های مختلفی را درباره ساختمان ماده ، پیشنهاد کرده اند. میدانیم که ماده قابل تقسیم تا بینهایت نیست. کوچکترین کمیت از ماده را که می تواند به حالت آزاد وجود داشته باشد مولکول می گویند.

کمیتی از یک جسم خالص را که فرمول شیمیایی آن جسم معرفی می کند ، مولکول گرم و جرم مربوطه را جرم مولکولی می گویند. هر مولکول گرم از یک جسم خالص ، شامل تعداد NA مولکول است ، که NA عدد آووگادرو می باشد. مولکولها از اتمها تشکیل شده اند. کوچکترین بخش از یک جسم ساده که می تواند در یک ترکیب شیمیایی شرکت کند ، اتم نام دارد همانند مولکول اتم نیز دارای ابعاد بسیار کوچک است.

پیشرفت های امروز ، الکترونیک ، نظریه های انیشتین را که از سال 1905 به بعد بنا کرد ، کاملا به اثبات می رساند. برخلاف آنچه که در مکانیک کلاسیک تصور می شود ، در فیزیک نوین جرم یک جسم کمیتی تغییر ناپذیر نیست ، بلکه با بالا رفتن سرعت افزایش پیدا می کند. سرعت نور معرف حدی است که تجاوز از آن را نمی توان انتظار داشت.
+شاید برای افرادی که آشنایی کمتری با ((فیزیک)) دارند ، تعجب آور باشد که در مباحث فیزیک ، از واژه ((الکترونیک)) یاد شود. اما اگر مباحث مطرح در فیزیک را از نظر بگذرانیم ملاحظه میکنیم فیزیک و الکترونیک دو واژهای هستند که با هم مانوس بوده و تقریبا وابسته به یکدیگرند. بعنوان مثال ((ترانزیستور)) یک وسیله الکترونیکی است که نحوه اتصال آن در ((مدارالکترونیکی|مدار)) در الکترونیک مورد بررسی قرار میگیرد. اما ((ساختار ترانزیستور)) ، مشخصههای ترانزیستور و اطلاعات دیگر که مربوط به ساختمان ترانزیستور است در فیزیک بحث میشود.
!مفاهیم پایه ((فیزیک الکترونیک))
*__اجزای ساختمان ماده:__
برای توضیح پدیدههای الکترونیکی ، فیزیکدانها فرضیههای مختلفی را درباره ((ساختمان ماده)) ، پیشنهاد کردهاند. مدانیم که ماده قابل تقسیم تا بینهایت نیست. کوچکترین کمیت از ماده را که میتواند به حالت آزاد وجود داشته باشد ((مولکول)) میگویند.
کمیتی از یک جسم خالص را که ((فرمول شیمیایی)) آن جسم معرفی میکند، مولکول گرم و جرم مربوطه را ((جرم مولکولی)) میگویند. هر مولکول گرم از یک جسم خالص ، شامل تعداد NA مولکول است، که NA ((عدد آووگادرو)) میباشد. مولکولها از اتمها تشکیل شدهاند. کوچکترین بخش از یک جسم ساده که میتواند در یک ((ترکیب شیمیایی)) شرکت کند، ((اتم)) نام دارد همانند مولکول ، اتم نیز دارای ابعاد بسیار کوچک است.

پیشرفتهای امروز ، الکترونیک ، نظریههای ((آلبرت انیشتین)) را که از سال 1905 به بعد بنا کرد ، کاملا به اثبات میرساند. برخلاف آنچه که در ((مکانیک کلاسیک)) تصور میشود ، در ((فیزیک نوین)) جرم یک جسم کمیتی تغییر ناپذیر نیست، بلکه با بالا رفتن ((سرعت)) افزایش پیدا میکند. ((سرعت نور)) معرف حدی است که تجاوز از آن را نمیتوان انتظار داشت.
-*__فلزات و نیم رسانا ها:__
واژه نیم رسانا را برای مشخص کردن جامداتی که مقاومت ویژه آنها خیلی بزرگتر از مقاومت ویژه یک رسانای خوب و خیلی کوچکتر از مقاومت ویژه یک عایق خوب است ، به کار می برند. به علاوه این مقاومت ویژه می تواند در کرانه های عریض تحت تاثیر بعضی از عوامل نظیر دما ، نور ، جریانهای قوی و همچنین با افزودن ناخالصیهای معین تغییر کند. بدین ترتیب، آنها می توانند به طور دایم و برگشت پذیر از حالت عایق به حالت رسانا بروند.
+*__((فلزات)) و ((اجسام نیم رسانا|نیم رساناها)):__
واژه نیم رسانا را برای مشخص کردن جامداتی که ((مقاومت الکتریکی ویژه|مقاومت ویژه)) آنها خیلی بزرگتر از مقاومت ویژه یک رسانای خوب و خیلی کوچکتر از مقاومت ویژه یک ((مواد عایق|عایق)) خوب است، به کار میبرند. به علاوه این مقاومت ویژه میتواند در کرانههای عریض تحت تاثیر بعضی از عوامل نظیر ((دما)) ، ((نور)) ، جریانهای قوی و همچنین با افزودن ناخالصیهای معین تغییر کند. بدین ترتیب ، آنها میتوانند به طور دائم و برگشت پذیر از حالت عایق به حالت ((اجسام رسانا|رسانا)) بروند.
-*__رسانش در فلز:__
یک رسانا در حالت عادی دارای الکترونهای آزاد است. اتمهایی که این الکترونها را از دست داده اند یک شبکه یونهای مثبت تشکیل می دهند. الکترون های آزاد که دیگر به اتم مشخصی تعلق ندارند ، دارای یک حرکت بی نظمند که از این لحاظ شبیه مولکولهای گاز است. این الکترونها نقش رسانش در فلزات را ایفا می کنند.
+*__((رسانش در فلزات)):__
یک رسانا در حالت عادی دارای ((الکترون آزاد|الکترونهای آزاد)) است. اتمهایی که این الکترونها را از دست دادهاند یک شبکه یونهای مثبت تشکیل میدهند. الکترونهای آزاد که دیگر به ((اتم)) مشخصی تعلق ندارند، دارای یک حرکت بینظمند که از این لحاظ شبیه مولکولهای ((گاز)) است. این الکترونها نقش رسانش در فلزات را ایفا میکنند.
-*__نیم رسانای ال (ای):__
نیم رساناهایی که بیشتر از همه مورد استفاده قرار می گیرند. ژرمانیوم و سیلسیوم هستند. به علت داشتن خواص مشابه ، در مورد یکی از آنها مثلا ژرمانیوم استدلال می کنیم. اتم ژرمانیوم دارای ظرفیت چهار است که هسته آن 32 پروتون دارد که توسط 32 الکترون احاطه شده است. این الکترونها در روی چهار لایه مدار که آخرین آنها چهار الکترون دارند توزیع شده است. />انرژی جنبشی الکترونها در دمای محیط معمولی خیلی بیشتر از انرژی آنها در صفر مطلق است. این امر موجب بریدگی بعضی از اتصالات و تولید حاملهای بار الکتریکی می شود. بدبن ترتیب یک نیم رسانای ذاتی در دمای عادی به طور جزئی رساناست.
*__نیم رسانای غیرذاتی:__
با افزودن تعداد خیلی کم از بعضی از ناخالصیها در یک نیم رسانای ذاتی می توان با نسبتهای قابل ملاحظه ای عده حاملهای بار (الکترون های آزاد یا حفره) را افزایش داد. بدین ترتیب مقاومت ویژه ماده کاهش می یابد. بلوری که بدین ترتیب آلاییده می شود ، غیرذاتی نام دارد. بعنوان مثال با اضافه کردن یک گرم آرسنیک به 103 گرم ژرمانیوم خالص مقاومت ویژه از 50 اهم-سانتی متر به چند اهم-سانتی متر تغییر می کند. ناخالصیهای به کاربرده شده سه یا پنج ظرفیتی هستند که به دو نوع بلور مختلف هدایت می کنند.
*__روشهای استخراج الکترون:__
**__گسیل ترموالکتریک:__
این روش عبارت از گرم کردن رساناست. در واقع انرژی جنبشی الکترونها که در دمای عادی کم است ، با بالا رفتن دما به نسبت قابل ملاحظه افزایش می یابد. این انرژی در مورد بعضی از الکترون ها به یک تعداد کافی می رسد به طوری که عبور آنها از سد پتانسیل میسر می کند.این گسیل را که در آن انرژی استخراج منشا حرارتی دارد ، ترموالکترونیک می گویند.
**__گسیل توسط میدان:__
بدون افزایش دمای رسانا ، با اعمال یک میدان الکتریکی خیلی قوی (در حدود (108V/m) بر سطح رسانا نیز می توان از آن الکترون استخراج کرد. لامپهایی که در این شرایط کار می کنند ، لامپهای کاتود سرد نامیده می شوند.
*__گسیل ثانوی:__
هنگامی که الکترونها یا یونهای با سرعت زیاد پرتاب شده ، بر سطح یک فلز می تابند ، قسمتی از انرزی جنبشی خود را به الکترونهای مجاور منتقل می کنند و آنگاه این الکترونها می توانند از فلز به بیرون پرتاب شوند ، این گسیل را گسیل ثانوی می نامند. در مورد بعضی از مواد با کار استخراج کم ، تنها یک الکترون می تواند تا دو الکترون ثانوی را بیرون آورد.
*__گسی فوتوالکتریک:__
به کمک تشعشع نیز می توان یک گسیل الکترونی ایجاد کرد. هر یک از فوتونها فرودی که دارای انرژی hf است می تواند قسمتی از این انرژی را به یک الکترون مجاور سطح انتقال دهد. هرگاه انرژی دریافت شد. توسط الکترون بیشتر از انرژی استخراج W0 باشد ، الکترون از فلز به بیرون پرتاب می شود. اگر فرض کنیم که تمام انرژی فوتون به الکترون انتقال می یابد ، در این صورت این الکترون با سرعت v0 کسب می کند که می توان آن را از رابطه
mv20/2=hf-W0 در حقیقت ، سرعت الکترون v از این مقدار نظری v0 کوچکتر است.
+*__((نیم رسانای ای)) (ال):__
نیم رساناهایی که بیشتر از همه مورد استفاده قرار میگیرند. ((ژرمانیوم)) و ((سیلسیوم)) هستند. به علت داشتن خواص مشابه ، در مورد یکی از آنها مثلا ژرمانیوم استدلال میکنیم. اتم ژرمانیوم دارای ظرفیت چهار است که ((هسته)) آن 32 ((پروتون)) دارد که توسط 32 ((الکترون)) احاطه شده است. این الکترونها در روی چهار لایه مدار که آخرین آنها چهار الکترون دارند توزیع شده است.
((انرژی جنبشی)) الکترونها در دمای محیط معمولی خیلی بیشتر از انرژی آنها در ((صفر مطلق)) است. این امر موجب بریدگی بعضی از اتصالات و تولید حاملهای ((بار الکتریکی)) میشود. بدبن ترتیب یک نیم رسانای ذاتی در دمای عادی به طور جزئی رساناست.

*__نیم رسانای غیرذاتی:__

با افزودن تعداد خیلی کم از بعضی از ناخالصیها در یک نیم رسانای ذاتی میتوان با نسبتهای قابل ملاحظهای عده حاملهای بار (الکترونهای آزاد یا ((حامل بار حفره|حفره))) را افزایش داد. بدین ترتیب مقاومت ویژه ماده کاهش مییابد. بلوری که بدین ترتیب آلاییده میشود، نیم سانا غیرذاتی نام دارد. بعنوان مثال با اضافه کردن یک گرم ((آرسنیک)) به 103 گرم ژرمانیوم خالص مقاومت ویژه از 50 اهم-سانتی متر به چند اهم-سانتی متر تغییر میکند. ناخالصیهای به کاربرده شده سه یا پنج ظرفیتی هستند که به دو نوع ((بلور)) مختلف هدایت میکنند.
*__روشهای استخراج الکترون:__


**__((نشر ترمویونی|گسیل ترموالکتریک)):__
این روش عبارت از گرم کردن رساناست. در واقع ((انرژی جنبشی)) الکترونها که در دمای عادی کم است ، با بالا رفتن دما به نسبت قابل ملاحظه افزایش مییابد. این انرژی در مورد بعضی از الکترونها به یک تعداد کافی میرسد به طوری که عبور آنها از ((سد پتانسیل)) میسر میکند. این گسیل را که در آن انرژی استخراج منشا حرارتی دارد ، ترموالکترونیک میگویند.


**__((نشر میدانی|گسیل توسط میدان)):__
بدون افزایش دمای رسانا ، با اعمال یک ((میدان الکتریکی)) خیلی قوی (در حدود (108V/m) بر سطح رسانا نیز میتوان از آن الکترون استخراج کرد. لامپهایی که در این شرایط کار میکنند، ((لمپ پرتو کاتدی|لامپهای کاتد سرد)) نامیده میشوند.


**__گسیل ثانویه الکترون:__
هنگامی که الکترونها یا یونهای با سرعت زیاد پرتاب شده ، بر سطح یک فلز میتابند، قسمتی از انرزی جنبشی خود را به الکترونهای مجاور منتقل میکنند و آنگاه این الکترونها میتوانند از فلز به بیرون پرتاب شوند، این گسیل را گسیل ثانویه مینامند. در مورد بعضی از مواد با کار استخراج کم ، تنها یک الکترون میتواند تا دو ((الکترون ثانویه)) را بیرون آورد.


**__((شر فوتوالکتریک)):__
به کمک تشعشع نیز میتوان یک ((چشمه تولید الکترون|گسیل الکترونی)) ایجاد کرد. هر یک از فوتونها فرودی که دارای انرژی hf است میتواند قسمتی از این انرژی را به یک الکترون مجاور سطح انتقال دهد. هرگاه انرژی دریافت شد. توسط الکترون بیشتر از انرژی استخراج W0 باشد، الکترون از ((فلز)) به بیرون پرتاب میشود. اگر فرض کنیم که تمام انرژی ((فوتون)) به الکترون انتقال مییابد، در این صورت این الکترون با سرعت v0 کسب میکند که میتوان آن را از رابطه mv20/2=hf-W0 در حقیقت ، سرعت الکترون v از این مقدار نظری v0 کوچکتر است.
 !مرحله دوم در فیزیک الکترونیک !مرحله دوم در فیزیک الکترونیک
-بعد از مطالعه مفاهیم اولیه که در بررسی فیزیک الکترونیک نیاز است ، ساختار برخی قطعات الکترونیکی مانند دیود ، ترانزیستور ، مقاومت ، خازن و ... مورد بحث قرار می گیرد. همچنین نحوه قرارگیری این قطعات در مدار و عملکرد این قطعات بررسی می شود. البته آنچه در اینجا مطالعه می شود جدا از مطالبی است که در رشته های مهندسی الکترونیک بحث می شود. چون در رشته های مهندسی کاربرد و نحوه قرارگیری این قطعات در مدار مورد توجه است. و کمتر به ساختار این قطعات پرداخت می شود. +بعد از مطالعه مفاهیم اولیه که در بررسی فیزیک الکترونیک نیاز است، ساختار برخی ((قطعات الکترونیکی)) مانند ((دیود)) ، ((ترانزیستور)) ، ((مقاومت)) ، ((خازن)) و ... مورد بحث قرار میگیرد. همچنین نحوه قرارگیری این قطعات در مدار و عملکرد این قطعات بررسی میشود. البته آنچه در اینجا مطالعه میشود جدا از مطالبی است که در رشتههای ((مهندسی الکترونیک)) بحث میشود. چون در رشتههای مهندسی کاربرد و نحوه قرارگیری این قطعات در مدار مورد توجه است. و کمتر به ساختار این قطعات پرداخت میشود.

تاریخ شماره نسخه کاربر توضیح اقدام
 پنج شنبه 14 آبان 1383 [16:52 ]   4   حسین خادم      جاری 
 چهارشنبه 13 آبان 1383 [14:26 ]   3   حسین خادم      v  c  d  s 
 یکشنبه 10 آبان 1383 [16:28 ]   2   حسین خادم      v  c  d  s 
 سه شنبه 28 مهر 1383 [16:31 ]   1   حسین خادم      v  c  d  s 


ارسال توضیح جدید
الزامی
big grin confused جالب cry eek evil فریاد اخم خبر lol عصبانی mr green خنثی سوال razz redface rolleyes غمگین smile surprised twisted چشمک arrow



از پیوند [http://www.foo.com] یا [http://www.foo.com|شرح] برای پیوندها.
برچسب های HTML در داخل توضیحات مجاز نیستند و تمام نوشته ها ی بین علامت های > و < حذف خواهند شد..