منو
 صفحه های تصادفی
دانش جانشین نبوت تبلیغی
واکنشهای مولکولهای کایرال ،ایجاد مرکز کایرال دوم
پروپرانولول
پدیده های ناشی از زلزله
تعادل شیمیایی
کار
ماهواره‌های فضایی
باریتین
اخلاص امام سجاد علیه السلام در انفاق
پراش صوتی
 کاربر Online
688 کاربر online

پیوند‌ها

تازه کردن چاپ
علوم طبیعت > شیمی > شیمی معدنی
(cached)

پیوند ها

دید کلی :

بیشتر قطعات نیمه رسانا دارای حداقل یک پیوند بین ماده نوع n و نوع p هستند این پیوندهای p-n در انجام عملیاتی چون کلیسو سازی ، تقویت، کلسیر زنی و سایر اعمال اتکترونیکی نقش اساسی دارند . تکنولوژی ساخت پیوندها مبحث بسیار گسترده ای است که دانش و تجربه گروههای تحقیقاتی و تولیدی متعددی را در این زمینه در بر می گیرد . با این وجود بدون سعی در تشریح دقیق این روشهای ساخت ، می توان برخی از روشهای بنیادی تشکیل پیوندها و زدن اتصالات مناسب به آنها را مورد بررسی قرار داد .

ساخت پیوندهای p-n

پیوندهای رشد یافته : یکی از روشهای اولیه ساخت پیوند ، روش پیوند رشد یافته است . در این روش حین رشد بلور رشد ناخالصی در ماده مذاب به صورت ناگهانی عوض میشود این روش ابتدایی رشد پیوند توسط روشهای انعطاف پذ یرتری که در آنها پیوند بعد از رشد بلور ایجاد می شود جایگزین شده است . البته یک استثناء مهم در این مورد رشد رو نشستی پیوندهای p-n است که بطور گسترده در مدارهای مجتمع و سایر کاربردها استفاده می شود .
پیوندهای آلیاژی : یک روش مناسب برای ساخت پیوندهای p-n الیاژ کردن یک فلز حاوی اتمهای ناخالصی روی نیمه رسانائی با ناخالصی مخالف است . این روش در دهه 1950 برای تولید د یور و ترانزیستور مورد استفاده قرار گرفت .به این منظور نمونهای که جهت آلیاژ انتخاب شده با ماده مورد نظر پوشش داده میشود و بعد از حرارت ، منطقه مذاب ایجاد می شود . با کاهش دما ناخالص ماده پائین می آید و در مرز مشترک یک ناحیه د وباره رشد یافته از بلور ناخالص تشکیل می شود .
پیوندهای نفوذی : در دهه 1960 روش نفوذی بعنوان یکی از متداولترین روشهای تشکیل پیوند p-n جایگزین روش آلیاژی شد . نفوذ ناخالصیها در یک جامد بر حسب باربرهای اضافی است . نفوذ نتیجه حرکت تصادفی اتمها بوده و ذرات در جهت کاهش شیب تراکم ناخالصی نفوذ می کنند ابته در اینگونه موارد دما بالاست . بنابراین نفوذ ناخالصی های آلینده در یک نیمه رسانا بسیاری از اتمهای نیمه رسانا را از جای خود در شبکه خارج کرده و مکانهای خالی ایجاد می کند که توسط ناخالصی ها پر می شود. و بعد از سرد شدن بلور در آنها می مانند.

کاشت یون:

یک جایگزین مناسب برای نفوذ در دماههای بالا کاشت مستقیم یون های انرپی دار در داخل نیمه رسانا است در این روش پرتوی از یون های ناخالصی انچنان شتاب می گیرند که انرژی جنبشی آن می تواند از چندین kev تا چند ین Mev متغیر باشد وسپس به سمت سطح نیمه رسانا هدایت میشود اتم ههی ناخالص بعد از ورود به بلور انرژی خود را از طریق برخورد به شبکه داده ودر یک عمق نفوذ متوسط موسوم به برد کاشت متوقف می گردد.

پوندههای فلز نیمه رسانا:

بسیاری از ویژگی های سودمند یک پیوند p-n را با تشکیل اتصال مناسب فلز- نیمه رسانا می توان به دست آورد . بدیهی است که چنین رویکردی به دلیل سادگی ساخت آن جالب توجه است پیوندهای فلز – نیمه رسانا در یکسو سازی بسیار سریع مفید می باشد . وقتی که فلزی به نیمه رسانایی متصل می شود انتقال بار تا آنجا ادامه می یابد که ترازهای فرعی در حال تعادل هم سطح شوند به این منظور پتانسیل نیمه رسانا نسبت به فلز افزایش می یابد . پتایل اتصال از نفوظ الکترون ها از نوار هدایت نیمه رسانا به فلز جلوگیری می کند .

پیوندهای ناهمگون

سومین رده مهم از پیوندها شامل پیوند بین نیمه رسانای با شبکه تطبیق یافته ولی با شکاف نوار متفاوت است مرز مشترک بین این گونه نیمه رسانا ها عاری از نقایص بلوری بوده و می تواند بلور های پیوسته ای شامل یک یا چند پیوند ناهمگون به وجود آورد . قابلیت دستری به پیوند های ناهمگون و ساختارهای چند لایه در نیمه رساناهای مرکب افق وسیعی از امکان گسترش قطعات الکترونیک را در پیش رو قرار داده است . در پیوند های ناهمگون تراز های فرعی دو نیمه رسانا را همسطح می کنند و یک فضای خالی برای ناحیه گذر در نظر می گیرند ، پیوند گاه در نزدیکی طرف با ناخالصی شدیدتر قرار داده می شود با ثابت نگه داشتن شکاف نواری در هر ماده نواحی نوار هدایت و ظرفیت بهم متصل می شود .

کابردها

قطعات نیمه رسانای p-n در صنعت الکترونیک نقش اساسی دارند ازجمله پیوندهای رشد یافته به ویژه در مدارهای مجتمع حایز اهمیت است چراکه توانسته است مدارهای پیچیده شامل هزاران ترانزیستور ، دیور و مقاومت و خازن را روی یک تراشه نیمه رسانا جای دهد . و پیوندهای نفوذی در ساخت IC ها نقش اساسی دارند که امکان ساخت هزاران قطعه با پیوندp-n را در یک تراشه سلیسیمی با اتصالات داخلی مناسب فراهم می سازد .
کاشت یون به خصوص در ساخت مدارهای مجتمع سیلیسیم بسیار مورد توجه است . پیوندهای فلز- نیمه رسانا در یکسو سازی بسیار سریع مفید می باشد و پیوند های ناهمگون در ترانزیستورهای دو قطبی ، ترانزیستورهای اثر میدانی و لیزرهای نیمه رسانا مورد توجه اند.
  • آینده : تحولات در زمینه افزاره های الکترونیکی بسیار زیاد است و مدام در حال تغییر و توسعه می باشند . یک رز ترانزیستور دو قطبی مطرح است امروز افزاره های CMOS و در آینده افزاره دیگری مطرح می شود اما آنچه که به زودی تغییر نخواهد کرد زیربنای علم الکترونیک است که همیشه ماندنی است


تعداد بازدید ها: 18026


ارسال توضیح جدید
الزامی
big grin confused جالب cry eek evil فریاد اخم خبر lol عصبانی mr green خنثی سوال razz redface rolleyes غمگین smile surprised twisted چشمک arrow



از پیوند [http://www.foo.com] یا [http://www.foo.com|شرح] برای پیوندها.
برچسب های HTML در داخل توضیحات مجاز نیستند و تمام نوشته ها ی بین علامت های > و < حذف خواهند شد..